信息摘要：
概念: 电力电子器件，又称电力半导体器件，主要应用于电力设备的功率转换和控制电路中(通常指电流在几万到几万a，电压在几百伏特以上)。 设备开发: 电源器件几乎应用于所有电子...
概念:
电力电子器件，又称电力半导体器件，主要应用于电力设备的功率转换和控制电路中(通常指电流在几万到几万a，电压在几百伏特以上)。
设备开发:
电源器件几乎应用于所有电子制造行业，包括笔记本、PC、服务器、显示器和计算机领域的各种外设;网络通信领域的手机、电话机等终端及办公设备;传统的黑白家用电器和消费电子领域的各种数码产品;工业PC、工业控制类的各种仪器和控制设备。
电源装置在保证这些装置正常运行的同时，也能起到有效的节能作用。由于电子产品需求的不断增加和能源效率的要求，中国的电力设备市场保持了快速的发展速度。
分类:
根据控制电路信号对电力电子设备的控制程度:
1. 半控制器件，如晶闸管;
2. 全控制器件，如GTO、GTR、power MOSFET、IGBT;
3.不可控装置，如功率二极管。
根据驱动电路在控制端与电力电子设备公用端之间所加信号的性质，将信号分为以下几种:
1. 电压驱动器件，如IGBT、功率MOSFET、Sith(静电感应晶闸管);
2. 电流驱动装置，如晶闸管，GTO, GTR。
根据电力电子设备控制端与共用端之间的有效信号波形，驱动电路可分为以下几种
1. 脉冲触发，如晶闸管和GTO;
2. 电子控制类型，如GTR, powermosfet, IGBT。
根据电力电子器件中电子和空穴参与导电的情况进行分类
1. 双极器件，如功率二极管、晶闸管、GTO和GTR;
2. 单极器件，如功率mosfet、sit、肖特基势垒二极管;
3.复合器件，如MCT (MOS控制晶闸管)、IGBT、Sith和IGCT。
设备的优点和缺点:
功率二极管:结构原理简单，工作可靠;
晶闸管:所有器件的耐压和电流容量高
IGBT:开关速度快，开关损耗小，能承受脉冲电流冲击，通态压降低，输入阻抗高，电压驱动，低驱动功率;缺点:开关速度低于功率MOSFET，电压电流容量小于GTO
GTR:耐压高、电流大、开关特性好、载流能力强、饱和电压低;缺点:开关速度低、电流驱动、驱动功率大、驱动电路复杂、二次击穿
GTO:电压电流容量大，适用于大功率场合，具有电导调制效果，电流容量大;缺点:电流关断增益很小，门极负脉冲电流大，开关速度低，驱动功率大，驱动电路复杂，开关频率低
功率MOSFET:开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，驱动功率小，驱动电路简单，工作频率高，无二次击穿问题;缺点:电流容量小，耐压能力低，一般适用于功率小于10kW的电力电子设备。
限制条件:耐压、电流容量、开关速度
